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Carson\n\nAbstract\nImproved lithography resolution provided by EUVL simplifies the patterning process and makes it possible to use less restrictive design rules. This in turn enables cost effective scaling with extendibility. There are several technical challenges and infrastructure gaps that need to be resolved to make EUVL suitable for high volume manufacturing (HVM). These gaps relate to development of a stable and reliable high power EUV source, EUV resist and EUV compatible photomask infrastructure. Realization of Actinic patterned mask", "attrs": null, "subkind": "screenshot", "toolName": null, "toolSlug": null, "confidence": null, "componentId": "786a7029-116e-44c6-adf2-b7d23ad03223", "frameworkName": null, "frameworkSlug": null }, { "bbox": { "h": 0.22, "w": 0.86, "x": 0.07, "y": 0.06 }, "kind": "paragraph", "text": "極端紫外線光源では、的確な波長を発生させるために錫を発火させる必要があり、錫プラズマによる汚染は、極端紫外線光源の開発に関する学術文献において、かねてより周知の弊害である。この弊害は主にレーザーテックが採用するレーザー支援放電生成プラズマ（Laser-assisted Discharge Plasma）方式で問題になる。一方、ASMLが採用するレーザー生成プラズマ（Laser Produced Plasma）方式では、プラズマをより精密に制御できて、汚染はそれほど問題にならない。2021年、ウシオとインテルは国際光工学会の会議で、レーザーテック製の装置に採用されているウシオ製の光源に関する共同論文を発表した。その論文では、「極端紫外線リソグラフィを量産に適用するためには克服しなければならない技術的な課題とインフラ不足」を指摘し、その「インフラ不足」について「安定性・信頼性の高い、高出力の極端紫外線光源」の必要性をあげている。", "attrs": null, "subkind": "paragraph", "toolName": null, "toolSlug": null, "confidence": null, "componentId": "24af55ba-e243-4000-8f20-f49376f0b35f", "frameworkName": null, "frameworkSlug": null }, { "bbox": { "h": 0.16, "w": 0.34, "x": 0.59, "y": 0.44 }, "kind": "paragraph", "text": "「極端紫外線リソグラフィを量産に適用するためには、克服しなければならない技術的な課題とインフラ不足が多数ある。インフラ不足は安定性・信頼性の高い、高出力の極端紫外線光源の開発に関わるものだ。」", "attrs": null, "subkind": "paragraph", "toolName": null, "toolSlug": null, "confidence": null, "componentId": "d7e5fc54-39eb-416b-bda1-183e70865133", "frameworkName": null, "frameworkSlug": null }, { "bbox": null, "kind": "quote", "text": "「極端紫外線リソグラフィを量産に適用するためには、克服しなければならない技術的な課題とインフラ不足が多数ある。インフラ不足は安定性・信頼性の高い、高出力の極端紫外線光源の開発に関わるものだ。」 — 2021年3月21日付けの共同論文 (ウシオとインテル)", "attrs": null, "subkind": null, "toolName": "Authority citation", "toolSlug": "authority-citation", "confidence": null, "componentId": "019dd953-203d-768d-bb08-e4693d67f655", "frameworkName": null, "frameworkSlug": null }, { "bbox": { "h": 0.04, "w": 0.75, "x": 0.07, "y": 0.93 }, "kind": "source-note", "text": "出典: https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/11609/116090L/Laser-assisted-discharge-produced-plasma-LDP-EUV-source-for-actinic/10.1117/12.2588788.short", "attrs": null, "subkind": null, "toolName": null, "toolSlug": null, "confidence": null, "componentId": "2b88fcaa-c4a1-41e4-a2b5-b3664ee93690", "frameworkName": null, "frameworkSlug": null } ], "metrics": [], "tools": [], "frameworks": [ { "name": "authority-citation", "slug": null, "matchId": "85074fae-9e55-4832-8f8c-51c1fdfb592e", "evidence": "Citing a joint paper by Ushio and Intel to validate technical critique.", "confidence": 0.9 } ], "arcBeats": [], "loops": [], "imagePathAlt": null, "thumbSrc": null, "thumbSrcAlt": null, "locked": true }